IC行業本身所需的發展技術要求十分高，相比之下，國內的經濟實現爆炸生長只有近十年，受到經濟發展的影響，所以芯片制造技術方面會一直存在較大差距。

　　從技術方面分析，首先看IC制造FAB企業的水平：中國目前(2018年初)最先進的IC制程工藝是中芯國際和廈門聯芯的28納米制程。廈門聯芯的28納米良品率已經超過95%，而中芯國際的28納米良品率還不高，實際上對這一工藝還沒完全搞利索。而中芯國際已經把14納米制程作為研發重點，爭取在2019年底之前量產。

　　那么世界最先進水平呢?三星的7納米制程已經量產成功，而且是應用了ASML最先進的EUV光刻機完成的。而臺積電沒有使用EUV光刻機的7納米工藝要到今年底才能量產，英特爾會更晚些。使用EUV光刻機未來可升級到更先進的5納米制程。

　　也就是說，中國的IC制程技術比世界最先進水平落后兩代以上，時間上落后三年多(臺積電和三星的14/16納米制程工藝都是在2015年開始量產的)。

　　IC制造設備種類非常多，價格都非常昂貴，其中最重要的是光刻機。目前，世界上唯一的光刻機廠家就剩下ASML。而中國IC制程落后的最主要原因，不是買不到光刻機和是光刻機到貨太晚。最主要的原因在于沒有足夠的人才和技術。

　　但是，除了對速度和功耗有極致要求的一些IC需要追求最先進的制程工藝外，比如各種CPU和GPU等，其它大部分的IC產品實際上并不需要使用最先進的制程工藝。實際上，目前業內公認性價比最高的制程工藝是28納米，而這一工藝正在被中國大陸企業掌握。還有一個事實就是，28納米工藝的營業額目前是臺積電所有工藝里最高的。只要把這塊市場拿下，做大，中國的IC企業就能占據大半江山了。

　　而從國內市場看，國內IC市場增長乏力，對國內IC設計企業未來發展會造成一定影響，同時2018年國內建成的多條集成電路生產線在2019年逐漸釋放產能，對IC制造企業來說會是比較大的挑戰。

　　在這樣的趨勢下，我們應當鼓勵國內IC設計企業加強技術積累，提升IC設計技術和產品創新能力，同時鼓勵國內IC設計企業使用大陸本土晶圓代工服務，幫助制造企業提高產能利用率，進一步提高制造企業的盈利能力，從而逐步形成健康發展的國內集成電路生態環境。

　　此外，近兩年中國大陸各地掀起的建廠潮甚至一度引發市場對產能過剩的憂慮。對此，雷海波則表示，需警惕出現全球短期內產能過剩的局面，但從長遠來看，作為全球最大的集成電路消費市場，中國大陸的現有產能特別是在先進工藝方面的產能離自給自足還有很長的路要走。

　　在這樣的發展狀態下，國內的企業應該在2019年掌握好自己的發展和當前的市場狀況的匹配程度，讓企業進入穩定發展狀態。