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HBM需求激增,存儲芯片價格再漲!

五度易鏈 2024-07-02 3214 0

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近日,消息稱三星電子已向包括戴爾科技、慧與(HPE)在內的主要客戶通報了漲價計劃,準備在第三季度將其主要存儲半導體、服務器 DRAM 和企業級 NAND 閃存報價提高 15%~20%,而三星第二季度已將其企業級 NAND 閃存漲價 20% 以上。

  這已經是三星今年以來的第三次調價。這次漲價,又是為何?

  根據集邦咨詢統計的2024年第一季度全球DRAM企業營收數據,三星、SK海力士和美光分別以全球存儲市場44%、31%、22%的份額,位居前三位,三者共占據全球幾乎95%的市場份額。DRAM是存儲市場中出貨量最大的產品類型,從存儲器全品類來看,這三家企業與其他企業間的營收差額也十分懸殊。存儲市場具有鮮明的寡頭壟斷特征。 在這樣的情況下,這三家企業的一舉一動將直接帶來整個存儲市場的震動,甚至可傳遞至與之相關的整個電子產業鏈。

2024年第一季度全球DRAM廠自有品牌內存營收排名(單位:百萬美元)

(數據來源:集邦咨詢,《中國電子報》整理)

  三家存儲原廠曾減產抬價

  長期以來,通過調控產能的方式調整市場價格是這三家企業的慣用手段。而這一方式,也在最近一次存儲產品價格波動中展現得淋漓盡致。

  2020年下半年開始的芯片短缺,導致三星、SK海力士、美光三大存儲原廠大批量備貨,以至于在全球存儲需求增長見頂之后,三大存儲原廠均面臨極高的庫存水位。

  在此背景下,全球三大存儲原廠存儲器價格從2021年第四季度開始連續8個季度下跌。根據集邦咨詢的數據,DRAM價格從2021年第四季度降價3%~8%開始,持續下探,至2022年第四季度達到最高單季度降幅,為20%~25%。

(數據來源:集邦咨詢,《中國電子報》整理)

  受存儲價格下滑影響,三星、SK海力士、美光三家營收備受打擊。三星自2022年第二季度開始,營收持續5個季度下滑,至2023年第二季度,營收額相當于2022年第一季度的71.74%;營收利潤更是銳減,自2022年第一季度的117.24億美元,一路降至2023年第一季度的5.02億美元,同比降低95.72%。美光、海力士營收也在一年之內慘遭“腰斬”,甚至出現營業利潤虧損。美光營收自2022年第三季度開始連續3個季度下滑,至2023年第二季度已跌至36.93億美元,營收利潤更是從30億美元一路下滑到-23億美元。SK海力士營收自2022年第三季度的10.98萬億韓元(約合86.64億美元),一路下滑至2023第一季度的5.09萬億韓元(約合39.94億美元),營收利潤也從2022年第二季度的4.19萬億韓元(約合34.02億美元),下滑至2023年第一季度的-3.402萬億韓元(約合-26.69億美元)。

  為盡快消化庫存、擺脫虧損境地,三大存儲廠商不約而同地開始減產。三星電子表示,2023年第四季度公司資本開支同比減少25.53%,降至14.0萬億韓元(約合107.19億美元);SK海力士表示,2023年公司資本開支同比減少50%,降至9.5萬億韓元(約合72.73億美元);美光在2022年11月首次宣布減產并逐步擴大減產幅度。《中國電子報》記者跟蹤發現,上述企業減產措施延續了整個2023年。

  減產帶來的效果很直觀地反映到了企業庫存、存儲價格和營收中。美光首席執行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra) 在2023年財報說明中表示,客戶庫存已逐漸恢復至正常水平。

  2023年年底,三大存儲廠陸續傳出將調高2024年第一季度協約價的消息。《中國電子報》記者采訪國內某代理商了解到,當時市場需求量并不旺盛,不足以支撐價格增長。當時的價格漲幅多是由三家存儲廠主動調價所致。

  此次漲價來自HBM需求激增

  近日,除三星外,另外兩家存儲大廠也頻頻傳出漲價消息。SK海力士在5月傳出消息稱,將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價,漲幅均在15%~20%。按照消息人士的說法,海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調,目前已累計上漲約60%~100%不等,下半年漲幅將趨緩。美光在4月已向多數客戶提出調升第二季度產品報價,漲幅超過20%,但因中國臺灣地震,報價隨后暫停。

  《中國電子報》記者采訪了解到,此次三星等存儲大廠調高產品報價的原因,與去年年底存儲產品漲價的原因有所不同。去年年末傳出的存儲產品漲價,一定程度上還是存儲芯片原廠主動減產、控價所致,市場需求還沒有達到推動存儲器全線漲價的程度。而此輪漲價,很大程度上是受市場需求帶動。

  Gartner副總裁盛陵海在接受《中國電子報》記者采訪時表示,近期存儲漲價很大程度上是HBM需求激增、供不應求所致。半導體資深人士李國強也向記者表達了類似的觀點:“三星去年年底的漲價一定程度上有前期企業主動減產帶來的因素,而存儲企業調高產品價格是因為AI對硬件的需求正反映在HBM產品上。”

  關于AI給存儲細分市場帶來的需求增長,盛陵海做了進一步的解讀。他認為,在NAND Flash方面,大模型對快速讀取有較高要求,帶動了SSD的需求。此外,HBM正面臨供不應求的市場現狀,廠商可能就此將DRAM的部分產能轉向HBM,但目前HBM產能提升空間主要受限于先進封裝的技術瓶頸,因此短期內產能短缺問題可能無法得到有效解決。

  除HBM需求增長之外,手機、新能源汽車等大眾化存儲器的需求拉動也有一定的作用。李國強表示,一方面手機出貨量增加,手機對移動DRAM和NAND Flash容量的需求也在增加;另一方面,新能源汽車及自動駕駛功能亦增加了DRAM需求。

  記者在采訪中了解到,當前在市場回暖的趨勢下,存儲廠商已經開始逐漸恢復產能。當前存儲原廠的產能利用率近90%,相較于去年有超過10%的提升,但尚未達到最大值。

  作者:姬曉婷 吳修齊  來源:中國電子報、電子信息產業網

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